退火片是在中性或還原氣氛中進(jìn)行高溫退火而導(dǎo)致硅拋光片近表面潔凈區(qū)內(nèi)無(wú)晶體缺陷[包括晶體原生巴坑(COP)]的硅片。中科檢測(cè)開(kāi)展退火片檢測(cè)服務(wù)，檢測(cè)報(bào)告具備CMA、CNAS資質(zhì)。

1. 基本要求：生長(zhǎng)方式、晶向、晶向偏離度、導(dǎo)電類(lèi)型、摻雜劑、晶體中共摻雜 、電阻率、徑向電阻率變化、氧含量、徑向氧含量變化等
2. 幾何參數(shù)：厚度及允許偏差、總厚度變化、翹曲度、局部平整度
3. 表面質(zhì)量：局部光散體、劃傷總長(zhǎng)度、霧、光澤度、表面沾污、其他缺陷
4. 表面金屬含量：鈉、鋅、鈣、鎳等
5. 其他性能：氧化誘生缺陷、體金屬(鐵)含量、潔凈區(qū)寬度(DZ)、體微缺陷密度(BMD)

GB/T 26069-2022  硅單晶退火片
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GB/T 2828.1-2012 計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序 第1部分按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃
GB/T 4058 硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法
GB/T 6616 半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法
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